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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000654 | 발명자 | 곽준섭, 오승규, 이유림 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2015-0137934 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1744845 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 전기, 전자 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 본 발명은 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반사층의 반사도를 향상시킬 수 있는 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 발광다이오드 제조방법은 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조를 형성하는 단계; 상기 반도체 적층구조 상에 반사층을 증착하는 단계; 상기 반사층에 전자빔을 조사하는 단계; 및 상기 반사층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다 | ||||
| 기술특성 | 반사층에 전자빔을 조사하여 반사층의 반사도를 향상시킬 수 있는 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드를 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 일실시예에 따른 발광다이오드 제조방법은 반사층에 전자빔을 조사하여 반사층의 반사도를 향상시킬 수 있고, 고온의 후속 공정에서 발생하는 반사층의 반사도 저하를 완화시킬 수 있다. 이에 따라 발광다이오드에 반사도가 높은 반사층을 제공할 수 있다. 또한, 반사층으로 은(Ag)을 사용하는 경우에는 반사층에 전자빔을 조사함으로써 은(Ag)의 열적 안정성 문제를 해결할 수 있고, 이에 따라 고온에서 발생하던 은(Ag)의 뭉침 현상을 방지할 수 있어 패시베이션층을 형성하는 고온의 공정을 수행할 수 있다. 그리고 전자빔 조사를 통해 은(Ag) 박막이 가지고 있던 배리어 메탈(Barrier Metal) 등의 이종물질층과의 접착력 문제도 해결할 수 있으며, 상온에서 반사층을 증착하여 리프트 오프(liftoff) 공정으로 반사층을 패터닝할 수도 있다. |
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| 응용분야 | 반도체 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||