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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000613 | 발명자 | 이지면, 김재관, 김용연 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2014-0123858 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1586441 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 융복합 및 기타 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법이 개시된다. 본 발명의 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법은, (a) 기판에 형성된 금속산화물 반도체층의 상부에 팔라듐을 증착하여 팔라듐 금속층을 마련하는 단계; (b) 상기 팔라듐 금속층 위에 PR 패턴층을 형성하는 단계; 및 (c)불활성 기체와 활성 기체의 혼합 기체를 이용하여 상기 팔라듐 금속층을 건식 식각하는 단계를 포함하되, 상기활성 기체는 Cl2 기체, CHF3 기체 및 CF4 기체 중 어느 하나이거나 적어도 둘 이상의 혼합으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, Cl2 기체, CHF3 기체 및 CF4 기체 중 어느 하나 또는 적어도 둘 이상의 혼합으로 이루어지는 기체와 Ar 기체의 혼합기체를 이용하여 플라즈마 식각처리함으로써 팔라듐 금속층의 식각벽면에 식각부산물이 재증착하는 정도와 팔라듐 금속층 하부의 금속산화물 반도체층에 가해지는 플라즈마 데미지를 완화시킬 수 있을 뿐만 아니라 팔라듐 금속층에 정확한 패턴을 구현하여 전기적인 신뢰성이 향상된 광전자소자를 제조할 수 있게 된다. |
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| 기술특성 | 본 발명의 목적은, 활성기체와 불활성기체의 혼합기체를 이용하여 플라즈마 식각처리함으로써 팔라듐 금속층의 식각벽면에 식각부산물이 재증착하는 것을 완화하고 팔라듐 금속층 하부의 금속산화물 반도체층에 가해지는 플라즈마 데미지를 완화시킬 수 있을 뿐만 아니라 팔라듐 금속층에 정확한 패턴을 구현하여 전기적인 신뢰성이 향상된 광전자소자를 제조할 수 있는 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법을 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명에 따르면, Cl2 기체, CHF3 기체 및 CF4 기체 중 어느 하나 또는 적어도 둘 이상의 혼합으로 이루어지는 기체와 Ar 기체의 혼합기체를 이용하여 플라즈마 식각처리함으로써 팔라듐 금속층의 식각벽면에 식각부산물이 재증착하는 정도와 팔라듐 금속층 하부의 금속산화물 반도체층에 가해지는 플라즈마 데미지를 완화시킬 수 있을 뿐만 아니라 팔라듐 금속층에 정확한 패턴을 구현하여 전기적인 신뢰성이 향상된 광전자소자를 제조할 수 있게 된다. | ||||
| 응용분야 | 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법, 광전자소자, LED나 LD는 시각표시장치, 광데이터 저장장치, 광섬유통신 분야 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||