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대학보유특허 상세정보
관리번호 | 2019000013 | 발명자 | 곽준섭, 오승규, 김태경, 박현정 | ||
소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
구분 | 공동 권리자 | ||||
참여기업 | 특허 사무소 | ||||
특허출원번호 | 10-2016-0053728 | 특허출원일자 | |||
특허등록번호 | 10-1760317 | 특허등록일자 | |||
기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
기술개요 | 본 발명은 기판의 일면 상에 2차원적으로 배열되어 복수의 행과 열을 이루고, 서로 분리된 복수의 단위 발광 유닛; 상기 행 방향으로 나열되어 상호 이격 형성된 복수의 스캔라인; 및 상기 스캔라인과 교차하도록 상기 열 방향으로 나열되어 상호이격 형성된 복수의 데이터라인을 포함하고, 상기 단위 발광 유닛은, 상기 기판의 일면 상에 적층되고, n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 적층구조물; 상기 적층구조물의 n형 반도체층 상에 제공되는 n형 전극; 및 상기 적층구조물의 p형 반도체층 상에 제공되는 p형 전극을 포함하며, 상기 복수의 스캔라인은 상기 n형 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 데이터라인은 상기 p형전극과 전기적으로 연결될 수 있음. |
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기술특성 | 본 발명은 크로스 토크 현상이 일어나지 않고, 선택적으로 발광할 수 있는 매트릭스 형태의 발광장치를 제공하며. 기판의 일면 상에 2차원적으로 배열되어 복수의 행과 열을 이루고, 서로 분리된 복수의 단위 발광 유닛; 상기 행 방향으로 나열되어 상호 이격 형성된 복수의 스캔라인; 및 상기 스캔라인과 교차하도록 상기 열 방향으로 나열되어 상호이격 형성된 복수의 데이터라인을 포함하고, 상기 단위 발광 유닛은, 상기 기판의 일면 상에 적층되고, n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 적층구조물; 상기 적층구조물의 n형 반도체층 상에 제공되는 n형 전극; 및 상기 적층구조물의 p형 반도체층 상에 제공되는 p형 전극을 포함하며, 상기 복수의 스캔라인은 상기 n형 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 데이터라인은 상기 p형전극과 전기적으로 연결될 수 있음. |
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기대효과 및 사업성 | 본 발명의 실시 예에 따른 발광장치에 의하면, 단위 발광 유닛의 중 간영역에 n형 전극을 형성하고 바깥 측에 p형 전극을 형성함으로써, 원하지 않는 전기에너지가 교류되어 이웃하는 단위 발광 유닛간의 크로스 토크 현상이 발생되지않고, 원하는 단위 발광 유닛만 발광시킬 수 있다. 이에 따라, 각 전극의 절연을 위해 기판까지 식각되는 아이솔레이션부의 폭을 10㎛ 이하로 줄일 수 있으며, 아이솔레이션부의 폭이 줄어들게 되어 실질적으로 발광할 수 있는 단위 발광 유닛의 개수 및 유효발광면적이 증가할 수 있음. |
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응용분야 | 운송기기용 헤드램프, 조명장치 | ||||
과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
사업명 | |||||
과제명 | |||||
연구기간 | 주관기관 | ||||
기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
시제품 제작 사진 및 데이터(표) |