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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2019000012 | 발명자 | 곽준섭, 박현정, 이동규, 홍인열 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2016-0051292 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1767131 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명의 일실시예에 따른 발광다이오드칩은 기판과, 상기 기판 상 에 적층되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물; 상기 반도체 적층구조물의 일면 상에 제공되는 제1 반사층; 및 상기 반도체 적층구조물의 일면과 대향하는 상기 반도체 적층구조물의 타면 상에 제공되는 제2반사층;을 포함하고, 상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 중 어느 하나의 반사층의 면적은 상기 반도체 적층구조물의 면적보다 작을 수 있음. |
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| 기술특성 | 본 발명은 측면뿐만 아니라 상부면 가장자리부로도 빛이 출사되어 광추출 효율이 우수하면서 광각이 넓은 발광다이오드칩, 이를 포함하는 면광원 및 발광다이오드칩의 제조방법을 제공하며 본 발명은 발광다이오드칩, 이를 포함하는 면광원 및 발광다이오드칩의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광추출 효율이 우수하면서 광각이 넓은 발광다이오드칩, 이를 포함하는 면광원 및 발광다이오드칩의 제조방법에 관한 것임. 본 발명의 일실시예에 따른 발광다이오드칩은 기판과, 상기 기판 상에 적층 되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물; 상기 반도체 적층구조물의 일면 상에 제공되는 제1 반사층; 및 상기 반도체 적층구조물의 일면과 대향하는 상기 반도체 적층구조물의 타면 상에 제공되는 제2 반사층;을 포함하고, 상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 중 어느 하나의 반사층의 면적은 상기 반도체 적층구조물의 면적보다 작을 수 있음. |
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| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 일실시예에 따른 발광다이오드칩은 반도체 적층구조물의 상부와 하부에 제1 반사층 및 제2 반사층을 형성하여 광각(Beam angle)이 넓어질 수 있고, 제1 반사층과 제2 반사층 중 어느 하나의 반사층의 면적을 반도체 적층구조물의 면적보다 작게 하여 발광다이오드칩의 상부면 가장자리부로도 빛이 출사될 수 있어 광추출 효율이 향상될 수 있음. |
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| 응용분야 | 조명용 LED, 평판 디스플레이 백라이트 유닛 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||