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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000611 | 발명자 | 곽준섭, 홍찬화, 박민주 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2010-0029176 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1574337 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 전기, 전자 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 자외전 발광다이오드나 가시광선 영역대의 발광 다이오드가 개선될 수 있는 발광소자의 전극이 개시된다. 본 발명에 따른 반도체의 발광소자의 전극은 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 In, Sn, Zn, Ga, Al, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Ti, Mn, Sb 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 원소를 포함하는 산화물로 형성되는 층을 포함하고, 상기 전극을 형성하는 과정 또는 형성한 후 전자빔 (electron beam), 이온빔 (ion beam) 및 중성빔(neutron beam) 중 적어도 한가지가 조사된다. 이와 같은 구성에 의하면, 발광 다이오드가 자외선영역에서 높은 광투과율을 가질 수 있어 그 성능이 개선된다. | ||||
| 기술특성 | 자외선 발광다이오드에서 발생할 수 있는 문제를 최소화 하고 기존의 자외선 발광다이오드의 낮은 광 특성 효율을 증대 시키는 방법을 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명은 발광다이오드 제조방법에 관한 것으로, 기존의 자외선 영역 및 가시광선 영역에서 투명전극의 빛 흡수가 많이 일어났다. 그래서 고효율 발광다이오드를 제작하기 위하여 투명전극층은 ITO, ZnO, IGZO, SnO2, HfO2, AZO, CIO, IZO 들 중 적어도 하나를 증착한 다음 Electron beam 처리 혹은 Ion Beam 처리 혹은 중성 Ion beam 처리를 하여 자외선영역에서 높은 광투과율을 가짐에 따라 자외선 발광다이오드나 가시광선영역대의 발광 다이오드를 개선할 수 있다 | ||||
| 응용분야 | 발광다이오드 제조분야, 반도체 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||