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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2019000018 | 발명자 | 곽준섭, 홍인열, 김태경 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2017-0014969 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1873259 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법 은 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 적층하여 반도체 적층구조물을 형성하는 과정; 상기 p형 반도체층 상에 서로 이격되어 2차원적으로 배열되도록 복수의 p형 전극을 형성하는 과정; 및 상기 복수의 p형 전극 사이로 노출된 p형 반도체층에 자가정렬 방식으로 아이솔레이션부를 형성하는 과정;을 포함할 수 있음. |
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| 기술특성 | 본 발명은 복수의 발광 픽셀의 간격을 줄여 발광 픽셀 사이의 암부영역을 감소시킬 수 있는 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법 및 조명 장치로서, 보다 상세하게는 복수의 발광 픽셀 사이의 암부 영역을 줄일 수 있는 마이 크로 어레이 발광다이오드 제조방법 및 조명 장치에 관한 것이고 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법은 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 적층하여 반도체 적층구조물을 형성하는 과정; 상기 p형 반도체층 상에 서로 이격되어 2차원적으로 배열되도록 복수의 p형 전극을 형성하는 과정; 및 상기 복수의 p형 전극 사이로 노출된 p형 반도체층에 자가정렬 방식으로 아이솔레이션부를 형성하는 과정;을 포함할 수 있음. |
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| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 실시 형태에 따른 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방 법은 복수의 p형 전극 사이로 노출된 p형 반도체층에 자가정렬 방식으로 아이솔레이션부를 형성하여 반도체 적층구조물을 복수의 발광 픽셀로 아이솔레이션함으로써, 복수의 발광 픽셀의 간격을 줄일 수 있고, 이에 따라 복수의 발광 픽셀 사이의 암부 영역을 감소시킬 수 있다. 이를 통해 마이크로 어레이 발광다이오드의 광도가 향상될 수 있으며, 조명 장치의 시인성이 향상될 수 있음. |
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| 응용분야 | 투광등, 공장등, 보안등, 가로등, 야구장, 항만의 구대 등의 실내외등 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||