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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000589 | 발명자 | 곽준섭, 홍찬화, 위성민 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2012-0077346 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1359403 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 전기, 전자 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 본 발명은 투명전도막 형성 방법에 관한 것으로, 제1투명전도층 및 상기 제2투명전도층의 적층 구조로 이루어진 투명전도막 중에서 선택되는 어느 하나의 투명전도층은 DC 파워와 RF 파워를 동시에 인가하는 DC＋RF 스퍼터링증착과 동시에 인시튜(in-situ)로 전자빔을 조사하는 전자빔 도움 증착 공정으로 형성하여 투명전도막의 전기적, 광학적 특성을 향상시킬 수 있는 투명전도막 형성 방법에 관한 것이다. | ||||
| 기술특성 | 빠른 박막 성장 속도로 투명전도막을 형성할 수 있는 투명전도막 형성 방법을 제공하고, 저온에서 얇은 두께로 투명전도막을 형성할 수 있는 투명전도막 형성 방법을 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명은 제1투명전도층 및 상기 제2투명전도층의 적층 구조로 이루어진 투명전도막 중에서 선택되는 어느 하나의 투명전도층은 DC 파워와 RF 파워를 동시에 인가하는 DC＋RF 스퍼터링 증착과 동시에 인시튜(in-situ)로 전자빔을 조사하는 전자빔 도움 증착 공정으로 형성하고, 선택되지 않은 어느 하나의 투명전도층은 DC 파워와 RF파워를 동시에 인가하는 DC＋RF 스퍼터링 증착 공정으로 형성함으로써, 빠른 박막 성장 속도를 가지면서 단시간 내에 200℃ 이하의 저온 공정에서 수 나노미터의 두께를 갖는 고품질의 투명전도막을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 높은 투과율 및 높은 전도성의 특성을 갖는 투명전도막을 형성할 수 있게 되므로, 이로 인해 20 인치(inch)급 이상의 대면적 터치스크린 패널 디스플레이에 적용할 수 있는 투명전도막을 확보할 수 있는 효과를 가지게 된다. 또한, 본 발명은 상기 DC＋RF 스퍼터링 진행시 동시에 전자빔이 조사되는 증착 공정을 수행하여 투명전도막을 형성함으로써, 별도로 고온의 후처리 공정을 수행하지 않으면서도 우수한 박막 특성을 갖는 투명전도막을 형성할 수 있는 효과를 가지게 된다. | ||||
| 응용분야 | 터치스크린의 터치 패널 분야, 터치스크린 패널용 투명전극 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||