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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000370 | 발명자 | 곽준섭, 오승규, 김태경 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2015-0081460 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1675020 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명은 발광다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광효율을 높일 수 있는 발광다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다. | ||||
| 기술특성 | 종래의 탑에미트형 발광다이오드는 발광다이오드 구조에서 반도체 적층구조 상면에 있는 금속으로 형성된 n형 전극 등으로 인해 빛이 반사되어 방출되지 못하는 문제점이 있었다. 본 기술은 n형 전극을 투명전극으로 형성하여 기존 n형 전극 사용 시 반사되거나 방출되지 못하는 빛을 외부로 방출 시켜 발광다이오드의 효율을 향상시키는 기술이다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 활성층에서 방출된 빛이 n형 투명전극을 통해 투과되어 외부로 출사될 수 있기 때문에 광추출효율을 향상시키고, 발광효율을 높일 수 있다. 그리고 이러한 투명전극에 전자선 조사, 그라핀층 삽입, 산화물층과 그라핀층을 교번 적층하는 방법 등을 통하여 투명전극의 면저항을 낮출 수도 있다. | ||||
| 응용분야 | LED 소자의 모든 분야 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||