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  • 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드

    관리번호 2020000372 발명자 곽준섭, 이길준, 홍인열
    소속학과 기술분야(6T)
    구분 공동 권리자
    참여기업 특허 사무소
    특허출원번호 10-2015-0156145 특허출원일자
    특허등록번호 10-1685092 특허등록일자
    기술개발단계 기술개발진행 중 협력희망내용 기술이전, 공동연구
    기술개요 본 발명은 발광다이오드 제작 시 Trigon, Tetragon, Hexagon 및 Dodecagon 형상 적용에 따른 광 추출 효율 향상과 발광다이오드 사파이어 기판 측면에 오목, 볼록 및 물결 패턴을 적용하여 배광 조절을 통한 집광 및 광 추출 효율을 향상 시킨 측면 발광다이오드 설계에 대한 것임.
    기술특성 발광다이오드 형상을 Trigon, Tetragon, Hexagon 및 Dodecagon으로 적용함. 또한 발광다이오드 사파이어 기판 측면에 오목, 볼록 및 물결 패턴을 적용함.
    기대효과 및 사업성 본 발명은 발광다이오드 제작 시 Trigon, Tetragon, Hexagon 및 Dodecagon 형상 적용에 따라 같은 칩의 윗면적을 갖더라도 측면 면적과 광 탈출 각이 달라지게 되고 그에따른 광 추출 효율 향상이 발생함. 또한 발광다이오드 사파이어 기판 측면에 오목, 볼록 및 물결 패턴을 적용하여 배광 조절을 통한 집광 및 광 추출 효율을 향상 시킴.
    응용분야 LED 소자의 모든 분야
    과제 고유번호 세부 과제번호
    부처명 연구관리 전문기관
    사업명
    과제명
    연구기간 주관기관
    기여율(%) 연구비(백만원)
    시제품 제작 사진 및 데이터(표)