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대학보유특허 상세정보

  • 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드

    관리번호 2020000373 발명자 곽준섭, 오승규, 이유림
    소속학과 기술분야(6T)
    구분 공동 권리자
    참여기업 특허 사무소
    특허출원번호 10-2015-0137934 특허출원일자
    특허등록번호 10-1685092 특허등록일자
    기술개발단계 기술개발진행 중 협력희망내용 기술이전, 공동연구
    기술개요 본 발명은 filp-chip 구조 발광다이오드 제작 시 p-GaN층 상부에 형성되는 반사 메탈에 전자빔 조사 방법을 통하여 반사 메탈에서 문제가 되고 있는 열적 신뢰성 향상과 다른 메탈과의 박리현상을 개선한 것임.
    기술특성 전자빔 조사를 통하여 반사전극의 열적 안정성을 개선하여 외부로 빛을 반사를 향상시킴. 또한 Ag 박막의 특성 변화에 의해 다른 메탈 사이에서 나타나는 adhesion문제를 개선함으로서 이 후 공정에서 다른 메탈과 반사 메탈 사이에서 나타나는 박리현상을 개선시킴.
    기대효과 및 사업성 이 방법은 메탈의 결정의 크기를 증가시킴으로서 반사 메탈의 열적 신뢰성을 개선하여 빛 반사를 향상하여 광추출 효율을 향상시킬 것으로 예상됨. 또한 소수성 특징을 가지는 Ag박막이 전자빔 조사에 의해 친수성으로 특성 변화를 통해 반사 메탈과 다른 메탈사이의 adhesion문제를 개선하여 박리현상을 최소화할 것으로 예상됨.
    응용분야 LED 소자의 모든 분야
    과제 고유번호 세부 과제번호
    부처명 연구관리 전문기관
    사업명
    과제명
    연구기간 주관기관
    기여율(%) 연구비(백만원)
    시제품 제작 사진 및 데이터(표)