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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000343 | 발명자 | 곽준섭, 오승규, 송치균 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2012-0069699 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1306591 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명은 HEMT 제작시 게이트층 하부에 식각 데미지 발생 없이 p-type oxide층 삽입을 통하여 소자의 채널로 사용되는 2DEG층을 공핍시켜 normally-off AlGaN/GaN HEMT를 제조하는 것이다. | ||||
| 기술특성 | 본 발명은 기판 상에 순차적으로 적층된 하부 반도체층, 상부 반도체층과 상기 상부 반도체층 상에 형성된 p형 산화층과, 상기 p형 산화층 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측에 형성된 소오스 전극, 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명은 게이트 전극 하단부에 p형 산화물층을 삽입하여 국소적으로 2DEG층을 공핍시킴으로써 게이트 전극에 바이어스 전압을 가하지 않은 상태에 있어서 소오스-드레인 전극 사이에 오프 상태가 되는 HEMT를 normally-off 상태로 구현할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 식각 프로세스에 대한 악영향이 미치치 않으면서 normally-off 특성을 얻을 수 있는 HEMT 소자를 제조할 수 있게 된다. | ||||
| 응용분야 | 본 발명은 전력용 기기(High power device) 응용분야의 확대 및 환경 보호를 위한 에너지 절약 추세에 따라 주목 받고 있는 질화갈륨 기반의 고출력 전력 반도체 분야에서 응용 가능하다. | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||