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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000365 | 발명자 | 곽준섭, 박민주, 황성주 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2012-0062401 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1350923 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명은 질화갈륨계 반도체 적층 구조의 표면 상에 이온 주입 또는 플라즈마 도핑 방법에 의해 저항증가층 및 저항감소층으로 이루어진 표면 개질층이 형성된 반도체 발광 소자에 관한 것이다. | ||||
| 기술특성 | 본 발명은 n형 반도체층과 활성층 및 p형 반도체층이 적층된 질화갈륨계 반도체 적층 구조와, 상기 p형 반도체층 및 n형 반도체층에 각각 접속되는 p형 전극 및 n형 전극과, 상기 질화갈륨계 반도체 적층 구조의 노출된 표면 상에 저항증가층과 저항감소층으로 형성된 표면개질층을 포함하는 것을 특징으로 한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명은 질화갈륨계 반도체층의 표면에 표면개질층으로서 절연특성의 저항증가층을 형성하는 것으로 p형 반도체층, 활성층의 표면에서의 누설전류를 감소하여 반도체 발광 소자의 광 추출효율 향상을 기대할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 질화갈륨계 반도체층의 표면에 표면개질층으로서 오믹 콘택 특성 및 전류 확산 특성을 향상시키는 저항감소층을 형성하는 것으로 n형 반도체층의 저항 감소를 이루게 되어 반도체 발광 소자의 전기적 특성 향상을 기대할 수 있게 된다. |
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| 응용분야 | 본 발명은 일반 조명 분야에서 고효율 LED 관련 업체 및 디스플레이 분야에서 응용 가능하다. | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||