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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000366 | 발명자 | 곽준섭, 박민주, 손광정 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2012-0062396 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1296265 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명은 반도체 발광 소자의 표면에 대해 소정의 각도를 가지며 수열합성법으로 성장된 나노와이어가 형성된 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 반도체 발광 소자를 포함하여 상기 반도체 발광 소자에 연결된 본딩 와이어의 표면상에 수열합성법으로 나노와이어가 형성된 반도체 발광 소자 패키지에 관한 것이다. |
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| 기술특성 | 본 발명은 n형 반도체층과 활성층 및 p형 반도체층이 적층된 질화갈륨계 반도체층 적층 구조와, 상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층에 각각 접속되는 p형 전극 및 n형 전극과, 상기 질화갈륨계 반도체층 적층 구조, p형 전극 및 n형 전극 표면상에 소정의 각도를 가지며 형성된 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 반도체 발광 소자의 p형 전극 및 n형 전극과 연결되는 본딩 와이어를 포함하는 패키지 본체를 구성하고, 상기 본딩 와이어의 표면에 나노와이어가 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 한다. |
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| 기대효과 및 사업성 | 본 발명은 반도체 발광 소자의 전 표면 상에 수열합성법으로 수직 방향으로 성장되는 나노와이어를 형성하는 것으로, 외부로 방출되는 빛을 증가시킬 수 있게 되어, 반도체 발광 소자의 광 추출효율 향상을 기대할 수 있게 된다. | ||||
| 응용분야 | 본 발명은 일반 조명 분야에서 고효율 LED 관련 업체 및 디스플레이 분야에서 응용 가능하다. | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||