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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000362 | 발명자 | 곽준섭, 박민주, 황성주 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2012-0075555 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1337486 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명은 열 방출 특성을 높일 수 있는 보호층을 형성하여 반도체 레이저 다이오드의 열 방출 효과를 향상시키는 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드를 제조하는 것이다. | ||||
| 기술특성 | 본 발명은 기판 상부에 형성된 제1질화물 반도체층과, 상기 제1질화물 반도체층 상부에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상부에 형성되고, 리지 형태의 돌출부를 갖는 제2질화물 반도체층과, 상기 제1질화물 반도체층 및 상기 제2질화물 반도체층과 각각 접속하는 제1전극 및 제2전극과, 상기 제1질화물 반도체층 및 제2질화물 반도체층의 노출된 표면에 이온주입 방법으로 표면처리되어 형성된 보호층을 포함하는 것을 특징으로 한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명은 질화물 반도체층의 표면에 선택적으로 유전체층인 보호층을 형성함으로써, 이온주입에 의해 형성된 보호층으로 인하여 질화물 반도체층의 표면에 산화물 형태의 보호층이 추가적으로 형성되는 경우에 비해 열 방출 효율을 높일 수 있는 반도체 레이저 다이오드를 얻을 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 추가적으로 SiO2와 같은 박막을 증착하여 보호층을 형성하는 공정을 수행하지 않게 되므로 SiO2 박막으로 보호층을 형성하는 경우에 비해 박막 증착 공정을 스킵할 수 있어 반도체 레이저 다이오드 제조시 공정의 단순화 및 공정 시간을 단축 시킬 수 있는 효과를 얻게 된다. |
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| 응용분야 | 본 발명은 레이저 다이오드 개발로 인한 산업분야에서 응용 가능 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||