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  • 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

    관리번호 2020000363 발명자 곽준섭, 박민주, 손광정
    소속학과 기술분야(6T)
    구분 공동 권리자
    참여기업 특허 사무소
    특허출원번호 10-2012-0062492 특허출원일자
    특허등록번호 10-1373152 특허등록일자
    기술개발단계 기술개발완료 협력희망내용 기술이전, 공동연구
    기술개요 본 발명은 마이크로 오픈부를 구비한 투명전극 및 다수의 나노 구조체가 형성된 p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
    기술특성 본 발명은 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 적층된 질화갈륨계 반도체 적층 구조와 p형 반도체층 상에 형성된 마이크로 오픈부를 구비한 투명전극과, 상기 투명전극 및 상기 n형 반도체층 상에 각각 접속하는 p형 전극 및 n형 전극으로 구성되며, 상기 p형 반도체층은 복수의 제1영역들과 상기 제1영역들 사이에 다수의 나노 구조체를 구비한 복수의 제2영역으로 이루어지고, 상기 n형 반도체층은 다수의 나노 구조체를 구비한 것을 특징으로 한다.
    기대효과 및 사업성 본 발명은 복수의 마이크로 오픈부를 구비한 투명전극을 이용하여 p형 반도체층 및 n형 반도체층을 나노 구조체 구조로 형성하는 것으로 빛의 전반사를 감소시켜 반도체 발광 소자의 광 추출효율 향상을 기대할 수 있게 된다.
    응용분야 본 발명은 일반 조명 분야에서 고효율 LED 관련 업체 및 디스플레이 분야에서 응용 가능하다.
    과제 고유번호 세부 과제번호
    부처명 연구관리 전문기관
    사업명
    과제명
    연구기간 주관기관
    기여율(%) 연구비(백만원)
    시제품 제작 사진 및 데이터(표)