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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000364 | 발명자 | 곽준섭, 박민주, 손광정 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2012-0078219 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1319563 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발진행 중 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명은 스퍼터링 방법으로 형성되고, 제1투명산화물 전극층 및 제2투명산화물 전극층으로 구성된 투명산화물 전극층을 형성하여스퍼터링시 발생하는 플라즈마로 인한 p-GaN의 데미지를 해소할 수 있는 반도체 발광 소자를 제조하는 것이다. | ||||
| 기술특성 | 본 발명은 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 적층된 질화갈륨계 반도체 적층 구조 및 스퍼터링 방법으로 상기 질화갈륨계 반도체 적층 구조의 p형 반도체층 상부에 형성되고, 제1두께를 갖는 제1투명산화물 전극층 및 제2두께를 갖는 제2투명산화물 전극층의 적층 구조로 구성된 투명산화물 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명은 정극성인 DC 파워(DC(＋) 파워)와 RF 파워를 동시에 인가하는 DC(＋)＋RF 스퍼터링 방법으로 형성된 제1투명산화물 전극층을 제공함으로써, 상기 제1투명산화물 전극층으로 인하여 투명산화물 전극층을 형성하기 위한 스퍼터링 공정시 p형 반도체층의 플라즈마 영향을 최소화할 수 있게 되어 소자의 전기적 특성을 향상시키면서 높은 투과율 특성도 갖는 투명산화물 전극층을 확보하게 된다. | ||||
| 응용분야 | 본 발명은 투명전극을 사용하는 OLED, TFT, LCD, 산화물 반도체, 태양전지 뿐 아니라 터치스크린 패널 분야에서 응용 가능하다. | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||