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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000404 | 발명자 | 곽준섭, 오승규, 송치균, 장태훈 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2013-0045469 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1439281 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명의 기술적 과제는, 트랜지스터 소자 내부의 열 방출을 용이하게 하고, 트랜지스터 소자 내부에서 콘택 패드를 활성 영역 상단에 형성함으로써, 트랜지스터 소자의 면적을 감소시킬 수 있는 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다. | ||||
| 기술특성 | 활성영역 상에 층간 절연체층의 층간 유기절연체층과 무기절연체층을 게재하여 패드를 형성하여 이종접합 전계효과 트랜지스터 소자의 면적을 감소할 수 있다. 또 한, 종래의 일반구조와 동일한 기판 면적에서 활성영역 상의 게이트, 소스, 드레인 전극 각각과 패드가 연결되는 접촉면적을 늘이는 것이 가능하여 열 방출의 효과를 개선시키며, 패키징시 스트레스를 효과적으로 완화할 수 있다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명은 GaN 기반 전력반도체 제조 비용을 획기적으로 저감 가능한 기술이므로, 국내외 GaN 기반 전력반도체 분야에서 국내 시장 기반을 마련 할 수 있을 것으로 기대됨.본 발명은 현재는 기술력 부제로 인한 높은 가격으로 전력 반도체 시장 진입에 열세를 지니고 있는 GaN 기반 전력반도체분야를 저렴한 비용으로 양산 가능케 할 핵심 기술이다. 2020년 GaN 차세대 파워 반도체 시장은 1,000억엔을 돌파하여 SiC기반 전력반도체를 상회할 것으로 예측 되며 본 발명은 GaN기반 요소기술의 개발로 SiC기반 전력반도체 보다 저렴한 비용으로 양산 가능할 기술이다. | ||||
| 응용분야 | 전력 반도체 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||