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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000604 | 발명자 | 곽준섭, 박민주, 오승규 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2010-0058964 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1525913 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 전기, 전자 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 최적화된 칩 구조 및 전극 구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자로 이루어진 수직구조 발광다이오드 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드는 도전성 기판, 상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 구비하는 발광구조물, 부분적으로 상기 제1 반도체층 및 활성층을 관통하여 이온주입으로 형성된 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층 주위로, 상기 제1 반도체층 및 활성층을 관통하여 이온주입으로 형성된 제1 절연체, 상기 제1 반도체층에 형성되며 상기 발광구조물의 외부로 노출된 전기 연결부를 구비하는 제1 전극층, 상기 제3 반도체층에 형성되며 상기 발광구조물의 외부로 노출된 전기 연결부를구비하는 제2 전극층, 상기 제1 전극층을 상기 도전성 기판, 제3 반도체층 및 제2 전극층과 전기적으로 분리시키기 위한 제2 절연체, 그리고 상기 활성층에서 방출된 빛의 경로 상에 형성된 요철 구조를 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면 제3 반도체층의 단차가 발생하지 않고 제2 전극층이 평평하고 쉽게 형성될 수 있다. | ||||
| 기술특성 | 식각이 없이 이온주입방법을 통하여 전극층의 단차가 발생하지 않고, 제 2 전극층이 기존의 구조보다 평평하고 쉽게 형성될 수 있는 수직구조 발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이온주입방법을 통해 제 3 반도체층을 형성하므로 단차가 발생하지 않는다. 또한, 식각이 없어 제 2 전극층을 쉽게 형성할 수 있고 기존의 구조보다 평평하게 하는 것이 용이하다. |
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| 응용분야 | 수직구조 발광다이오드, 반도체 발광소자 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||