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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000612 | 발명자 | 곽준섭, 박민주, 김용덕 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2010-0029168 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1582330 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 전기, 전자 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 이온주입이나 플라즈마 도핑기술을 이용하여 제조한 발광다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 발광다이오드는 기판 그리고 n-GaN층과 p-GaN층 사이에 형성된 활성층을 포함하고 이온주입을 통하여 절연부분을 형성하고 이온주입을 통하여 n형 GaN 부분을 형성한다. 이와 같은 구조에 의해 식각을 이용하여 발광다이오드를 제작하는 경우에 발생하는 문제를 해결할 수 있다. | ||||
| 기술특성 | 본 발명은 발광다이오드 제작공정에서 발생할수 있는 문제를 최소화 하고 기존의 발광다이오드 공정을 변화 하여 발광다이오드를 제작하는 새로운 방법이다. 고효율 발광다이오드를 제작하기 위하여 많은 공정들이 들어 가게 되는데 이는 발광다이오드의 단가를 상승시키는 치명적인 단점으로 작용한다. 이 단점을 해소하기 위하여 이온주입이나 플라즈마 도핑 기술을 이용하여 보다 가격을 낮추며, 고효율의 발광다이오드 제작방법을 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 종래의 LED를 제작할 때 ICP를 이용하여 n-GaN까지 식각을 하게 된다. 하지만 이때 발생할 수 있는 문제들이 많이 있다. 하지만 이온주입이나 플라즈마도핑 기술을 이용하여 n-type GaN을 형성하여 주고, 절연층을 형성하게 되면 식각을 이용하여 발생할 수 있는 문제를 해결할 수 있다. | ||||
| 응용분야 | 발광다이오드 제조분야, 반도체 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||