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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000385 | 발명자 | 곽준섭, 조영제, 홍찬화 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2011-0051436 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1185165 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명은 산화물 반도체로 이루어진 채널층에 이온주입영역을 형성함으로써 채널층의 이동도를 향상시킬 수 있고, 소오스 및 드레인과 채널층이 접촉하는 영역에 높은 농도의 이온을 주입함으로써 옴접촉(Ohmic-contact)특성이 개선된 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 기술이다. | ||||
| 기술특성 | 본 발명인 산화물 박막 트랜지스터는 게이트, 게이트 절연층, 산화물 반도체를 포함하는 채널층, 소오스 및 드레인을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 채널층은 상부면과 하부면을 가지며, 상기 상부면으로부터 상기 하부면까지 연장되어 상기 게이트 절연층과 접촉하며, 하나 또는 복수개의 판상형태로 된 이온주입영역 을 포함하는 것을 특징으로 한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 산화물 박막 트랜지스터의 경우에는 별도의 결정화공정을 필요로 하지 않기 때문에 대형화 기판에 이용하기에 매우 유리하다. 박막 트랜지스터의 소자특성중 대표적인 파라미터인 이동도의 경우 산화물 박막 트랜지스터 소자는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 소자에 비해 10배 이상 높은 이동도를 갖는데, 이는 노트북 혹은 HDTV,AMOLED제품의 백플레인으로 사용하기에 충분한 것으로 인식되고 있다. 하지만 계속되는 디스플레이 기술의 발전으로 3D 디스플레이나 UHDV(Ultra High Definition Video)가 개발되면서 더욱 선명한 초고해상도 구현을 위해 더 높은 이동도를 가진 박막 트랜지스터를 필요로 한다. 이러한 관점에서 높은 이동도를 가지는 산화물 반도체 를 이용한 박막 트랜지스터의의 설계에 유용할 것으로 예상된다. | ||||
| 응용분야 | TFT 관련 분야 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||