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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000568 | 발명자 | 곽준섭, 권광우, 강기만 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2009-0054900 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1084431 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 전기, 전자 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 열안정 확산 방지막층을 삽입하여 발광 효율을 높일 수 있는 수직형 발광다이오드를 제공하고자 한다. 상기 수직형 발광다이오드는 사파이어 기판, 상기 사파이어 기판 상에 차례로 성장된 n-GaN, MQW, p-GaN층, 상기 pGaN층 상에 증착된 반사막층, 상기 반사막층 상에 증착된 열안정 확산 방지막층, 및 상기 열안정 확산 방지막층상에 증착된 Sn-Ag층을 포함하고, 상기 열안정 확산 방지막층은 TiW층 상에 Ti 또는 Cr 중 어느 하나를 증착한 층을 반복적으로 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 상기 수직형 발광다이오드에 따르면, 열안정 확산방지막을 사용하는 것에 의해 표면 저항의 변화를 방지시켜 주기 때문에 전기적인 특성을 좋게 유지시킬 수 있어 발광 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다. | ||||
| 기술특성 | 일반적으로 수직형 발광다이오드는 반사도가 좋은 물질을 이용하여 반사도를 극대화 시킨다. 본 발명의 일 실시 예 중 일부에 따른 목적은 열안정 확산 방지막층을 상기 반사막층 위에 증착시켜 반사막이 뭉치는 것을 방지할 수 있는 열안정 확산 방지막층을 구비한 수직형 발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공. 열안정 확산 방지막층을 사용하여 표면저항의 변화를 방지시켜 줌으로써 전기적 특성을 좋게 하여 발광 효율을 증가시킬 수 있는 열안정 확산 방지막층을 구비한 수직형 발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 일 실시예에 따른 열안정 확산 방지막을 구비한 수직형 발광다이오드 및 이의 제조방법에 의하면, 열안정 확산 방지막층을 반사막층 위에 증착시킴으로써 반사막이 뭉치는 것을 방지할 수 있는 효과를 가진다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 열안정 확산 방지막을 구비한 수직형 발광다이오드 및 이의 제조방법에 의 하면, 열안정 확산 방지막층을 사용하여 표면저항의 변화를 방지시켜 줌으로써 전기적 특성을 좋게 하여 발광효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다. |
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| 응용분야 | 수직형 발광다이오드, 반도체분야 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||