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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000374 | 발명자 | 곽준섭, 오승규 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2014-0074438 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1582331 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 발광다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전기에너지를 빛에너지로 변환시켜주는 반도체 발광 소자로서, 화합물 반도체 단자에 전류를 흘려서 p-n접합 부근 또는 활성층에서 전자와 홀의 결합에 의해 빛을 방출하는 소자이다. 또한, 발광다이오드는 기존의 백열등 및 형광등과 같은 광원에 비해 수명이 길고 전력소모가 적으며, 전기에너지를 빛에너지로 직접 변환하기 때문에 발광효율이 높고 안전성, 친환경, 다양한 색상의 구현 등의 장점이 있어 LCD 디스플레이, 차량용 전조등, 가로등, 신호등, 광통신용 광원, 장식용 조명 등 다양한 분야에 적용되고 있다. | ||||
| 기술특성 | 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드는 기판; 상기 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 적층되어 형성되는 반도체 적층구조; 상기 p형 반도체층 및 n형 반도체층에 각각 접속되는 p형 전극 및 n형 전극; 상기 p형 전극 및 n형 전극 상에 제공되고, 유기물질로 이루어진 유기절연체층을 포함하는 층간 절연층; 및 상기 p형 전극 및 n형 전극에 각각 전기적으로 연결되도록 제공되는 p형 및 n형 본딩 메탈을 포함할 수 있다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명에 따른 발광다이오드에서는 p형 전극을 반사전극으로 사용하여 발광효율을 높일 수 있고, 층간 절연층에 절연성이 있으면서도 유전율이 낮은 유기물질을 사용하여 누설전류를 차단하면서 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수도 있으며, 유기물질은 연성과 열적안정성도 우수하여 발광다이오드의 패키징시 열과 압력에 의한 스트레스를 완화시킬 수 있어서 패키징 신뢰성도 향상시킬 수 있는 효과가 있다. | ||||
| 응용분야 | 발광다이오드, 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반사전극을 사용하여 발광효율을 높이고, 층간 절연층에 연성과 열적안정성이 우수한 유기물질을 사용하여 열과 압력에 의한 스트레스를 완화시킬 수 있는 발광다이오드, 패키지 및 그의 제조방법 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||