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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000746 | 발명자 | 곽준섭, 차유정, 조문욱 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2017-0147497 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-2034767 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 전기, 전자 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 본 발명은 산화물 박막 트랜지스터 제조방법 및 산화물 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 채널 층의 이동도를 향상시킬 수 있는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법 및 산화물 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터 제조방법은 기판 상에 게이트를 형성하는 과정; 상기 게이트상에 절연체층을 형성하는 과정; 및 상기 절연체층 상에 채널층을 형성하는 과정;을 포함하고, 상기 채널층을 형성하는 과정은, 상기 절연체층 상에 제1 산화물 반도체층을 형성하는 과정; 및 상기 제1 산화물 반도체층 상에 상기 제1 산화물 반도체층과 전기 전도도가 상이한 제2 산화물 반도체층을 형성하는 과정을 포함할 수 있다. |
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| 기술특성 | 상이한 전기 전도도를 갖는 이중 채널(dual channel)을 통해 채널층의 이동도를 향상시킬 수 있는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법 및 산화물 박막 트랜지스터를 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 실시 형태에 따른 산화물 박막 트랜지스터 제조방법은 게이트 상에 상이한 전기 전도도를 갖는 이중채널(dual channel)로 채널층을 형성함으로써, 채널층의 이동도를 향상시킬 수 있다. 또한, 복수의 산화물 반도체층 중 게이트에 인접한 제1 산화물 반도체층을 반대측의 제2 산화물 반도체층보다 전기 전도도가 높게 하여 채널층과 게이트의 전기적 연결이 안정화될 수 있고, 이에 따라 채널층의 이동도가 향상될 수 있다. 그리고 제1 산화물층에 전자빔을 조사하여 제1 산화물 반도체층을 형성하므로, 높은 전기 전도도를 얻기 위해 300 ℃가 넘는 고온의 열처리 과정을 수행하지 않을 수 있고, 산화물 박막 트랜지스터의 다른 구성에 영향(또는 손상)을 주는 것을 방지할 수 있다. 특히, 유리 기판을 사용하는 경우에는 300 ℃가 넘는 고온에서 유리 기판이 손상되는 문제가 있었는데, 본 발명에서는 300 ℃가 넘는 고온의 열처리 과정을 수행하지 않으므로, 채널층의 이동도가 향상된 산화물 박막 트랜지스터를 유리 기판에 적용할 수 있다. 한편, 제1 산화물 반도체층과 제2 산화물 반도체층은 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn)을 포함하는 산화물로 이루어져 동일한 성분을 포함하고 있으므로, 제1 산화물 반도체층과 제2 산화물 반도체층의 계면 사이에 결정학적인 매칭 등이 잘 이루어져 전체적인 박막 특성이 단일층으로 이루어진 채널층과 유사하게 복수의 산화물 반도체층이 적층된 채널층을 형성할 수 있고, 채널층의 전기적 특성 및 안정성이 향상될 수 있다. |
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| 응용분야 | 박막 트랜지스터, 디스플레이 시장 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||