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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000760 | 발명자 | 곽준섭, 김태경, 소재봉 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2018-0020285 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1997104 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 전기, 전자 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 본 발명은 마이크로 어레이 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 2차원적으로 배열된 복수 개의 단위 발광 유닛을 선택적으로 발광시키기 위한 마이크로 어레이 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 어레이 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 적층되는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하고, 2차원적으로 분리 배열되어 제공되는 복수 개의 단위 반도체 적층 구조물; 상기 p형 반도체층 상에 제공되는 p형 전극; 상기 활성층 및 p형 반도체층을 관통하는 제1 비아홀에 의하여 노출되는 상기 n형 반도체층 상에 제공되는 n형 전극; 및 상기 제1 비아홀의 내부면에 제공되는 절연막;을 포함한다. |
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| 기술특성 | 단위 반도체 적층 구조물의 비발광 영역을 최소화하고, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 마이크로 어레이 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 어레이 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 의하면, 활성층 및 p형 반도체층을 관통하는 제1 비아홀의 내부면에 절연막을 형성하여 활성층의 외측에서 p형 반도체층과 n형 반도체층을 효과적으로 절연시킬 수 있다. 또한, 절연막을 관통하는 제2 비아홀에 도전성 물질을 충진하여 n형 전극을 형성함으로써, 제1 비아홀의 중심부에 배치되도록 제1 비아홀과 이격하여 n형 전극을 형성하는 경우에 비하여 제1 비아홀의 평균 단면적을 큰 폭으로 감소시켜 단위 적층 구조물에서 제1 비아홀에 의하여 형성되는 비발광 면적을 최소화하고, 광 추출 효율을극대화할 수 있다. 뿐만 아니라, 복수 개의 단위 반도체 적층 구조물마다 n형 반도체층 및 p형 반도체층에 각각 전기적으로 연결되는 n형 전극 및 p형 전극을 제공하여, n형 전극과 p형 전극 간의 거리를 동일하게 유지하면서도 각 단위 반도체 적층 구조물을 전기적으로 분리할 수 있게 되어, 효율적인 전류 주입을 통한 우수한 전기적 특성 및 균일한 발광을 얻을 수 있다.또한, 복수 개의 단위 반도체 적층 구조물에 각각 포함되는 복수 개의 n형 전극을 n형 전극 패드에 의하여 서로 전기적으로 연결함으로써 복수 개의 n형 전극에 균일한 전압 또는 전류를 인가할 수 있으며, 발광을 위한 전압 또는 전류가 인가되어 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출시킬 수도 있다. 게다가, 복수 개의 n형 전극을 전원 단자에 공통적으로 접속하고, 복수 개의 p형 전극을 복수 개의 트랜지스터에 각각 개별적으로 접속하여 구동함으로써, 단위 반도체 적층 구조물 간의 간격을 최소화하고, 단위 반도체 적층 구조물 사이의 암부 영역(dark region)을 최소화할 수 있다. | ||||
| 응용분야 | 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED), 반도체 장치 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||