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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2019000021 | 발명자 | 곽준섭, 김태경, 소재봉 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2018-0020285 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1997104 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 어레이 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 적층되는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하고, 2차원적으로 분리 배열되어 제공되는 복수 개의 단위 반도체 적층 구조물; 상기 p형 반도체층 상에 제공되는 p형 전극; 상기 활성층 및 p형 반도체층을 관통하는 제1 비아홀에 의하여 노출되는 상기 n형 반도체층 상에 제공되는 n형 전극; 및 상기 제1 비아홀의 내부면에 제공되는 절연막;을 포함함. |
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| 기술특성 | 본 발명은 단위 반도체 적층 구조물의 비발광 영역을 최소화하고, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 마이크로 어레이 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 제공한다. 보다 상세하게는 2차원적으로 배열된 복수 개의 단위 발광 유닛을 선택적으로발광시키기 위한 마이크로 어레이 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 마이크로 어레이 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 적층되는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하고, 2차원적으로 분리 배열되어 제공되는 복수 개의 단위 반도체 적층 구조물; 상기 p형 반도체층 상에 제공되는 p형 전극; 상기 활성층 및 p형 반도체층을 관통하는 제1 비아홀에 의하여 노출되는 상기 n형 반도체층 상에 제공되는 n형 전극; 및 상기 제1 비아홀의 내부면에 제공되는 절연막;을 포함함. |
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| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 어레이 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 의하면, 활성층 및 p형 반도체층을 관통하는 제1 비아홀의 내부면에 절연막을 형성하여 활성층의 외측에서 p형 반도체층과 n형 반도체층을 효과적으로 절연시킬 수 있음. |
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| 응용분야 | 반도체 분야, 디스플레이 분야 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||