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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2022000860 | 발명자 | 곽준섭, 조성민, 차유정, 김태경 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2019-0097631 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-2218587 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 협력희망내용 | ||||
| 기술개요 | 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법은 공정 챔버 내부에 타겟 및 기판 홀더를 포함하는 스퍼터링 장치를 이용하는 반도체 발광소자의 제조 방법으로서, 기판 상에 적층된 n형 반도체층, 활성층, 및 p형 반도체층을 포함하는 질화물계 반도체 적층 구조를 준비하는 과정; 상기 타겟에 전원을 인가하여 상기 공정 챔버내에 플라즈마를 발생하는 과정; 상기 타겟과 상기 기판 홀더 사이에 배치된 차단 플레이트로 상기 플라즈마의 일부를 차단하는 과정; 및 차단되지 않은 상기플라즈마의 나머지를 이용하여 상기 질화물계 반도체 적층 구조 상에 컨택 전극층을 증착하는 과정을 포함할 수 있다. | ||||
| 기술특성 | 본 발명은 스퍼터링법에 의해 p형 질화물 반도체층과 오믹 접촉을 형성하고 반사도가 높은 전극을 증착할 수 있는 반도체 발광소자의 제조 방법을 제공한다. 또한 본 발명은 p형 질화물 반도체와 오믹 접촉을 형성하고 반사도가 높은 전극을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, 스퍼터링 공정 시 차단 플레이트를 이용하여 플라즈마의 중심부를 차단하고, 플라즈마의 주변부를 이용하여 컨택 전극층을 증착함으로써, p형 질화물 반도체가 플라즈마 데미지를 받지 않도록 할 수 있다. 이로 인해, 고온의 열처리 공정을 수행하지 않으면서도 오믹 접촉을 형성하는 p측 전극을 p형 질화물 반도체 상에 형성할 수 있다. 본 발명의 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, 비정질 또는 나노결정질인 컨택 전극층 상에 결정질의 반사 전극층이 적층된 전극 구조를 가지고, 오믹 접촉을 형성하면서도 우수한 반사도를 가지는 p측 전극을 p형 질화물 반도체 상에 형성할 수 있다. 본 발명의 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, 스퍼터링 공정에 의해 금속 전극을 형성하면서도 차단 플레이트로 플라즈마의 중심부를 차단하는 간단한 방법으로 p형 질화물 반도체와 오믹 접촉을 형성하는 p측 전극을 형성할 수 있다. 또한 비정질 또는 나노결정질인 컨택 전극층 상에 결정질의 반사 전극층을 적층함으로써, p형 컨택층과 오 믹 접촉을 형성하며 높은 반사도를 가지는 p측 전극을 포함하는 반도체 발광 소자를 제공할 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자의 동작 전압이 낮아지고, 광출력이 향상될 수 있다. |
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| 응용분야 | 마이크로 LED응용, 반도체 발광소자 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||