산학연 정보공시 지표 현황
산학연 관련 지표 및 타대학과 비교할 수 있는 기능을 제공합니다.
산학협력통합정보검색
순천대학교 산학협력에 관련된 모든 정보를 조회하고 검색할 수 있습니다.
커뮤니티
흥미로운 소식과 새로운 자료를 가장 먼저 전해 드립니다.
대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2019000020 | 발명자 | 곽준섭, 차유정, 조문욱 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2017-0147498 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-2050955 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | 본 발명의 일실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터 제조장치는 게이트와 게이트 절연층이 형성된 기판 상에 제1 산화물층을 증착하는 제1 증착부; 상기 제1 산화물층 상에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사부; 및 전자빔이 조사된 상기 제1 산화물층 상에 제2 산화물층을 증착하는 제2 증착부;를 포함할 수 있음. |
||||
| 기술특성 | 본 발명은 상이한 전기 전도도를 갖는 이중 채널(dual channel)을 통해 채널층의 이동도가 향상된 산화물 박막 트랜지스터를 제조할 수 있는 산화물박막 트랜지스터 제조장치는 게이트와 게이트 절연층이 형성된 기판 상에 제1 산화물층을 증착하는 제1 증착부;상기 제1 산화물층 상에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사부; 및 전자빔이 조사된 상기 제1 산화물층 상에 제2 산화물층을 증착하는 제2 증착부;를 포함할 수 있음. |
||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명의 실시 형태에 따른 산화물 박막 트랜지스터 제조장치는 기판 상에 증착된 제1 산화물층에 전자빔을 조사하여 제1 산화물 반도체층을 형성하고 제1 산화물 반도체층 상에 증착된 제2 산화물층을 후처리하여 제2 산화물 반도 체층을 형성함으로써, 상이한 전기 전도도를 갖는 이중 채널(dual channel)로 채널층을 형성할 수 있다. 이에 따라 채널층의 이동도를 향상시킬 수 있으며, 복수의 산화물 반도체층 중 게이트에 인접한 제1 산화물 반도체층을 반대측의 제2 산화물 반도체층보다 전기 전도도가 높게 하여 채널층과 게이트의 전기적 연결이 안정화 될 수 있음. |
||||
| 응용분야 | 디스플레이 분야, 반도체 분야 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||