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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2021000624 | 발명자 | 이지면, 김재관, 김신 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2014-0123857 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1618974 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 전기, 전자 | 협력희망내용 | |||
| 기술개요 | 반도체 발광소자의 투명전극, 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명의 반도체 발광소자 제조방법은, 발광소자 제조방법으로서, (a) 제1 기판 또는 도전형 반도체층이 마련된 제2 기판을 준비하는 단계; 및 (b) 상기 제1 기판 또는 상기 도전형 반도체층의 상부에, 금속산화물 반도체층 및 상기 금속산화물 반도체층의 내측에 패터닝된 형태로 마련되는 그래핀층을 포함하는 투명전극을 마련하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 금속산화물 반도체층 내부에 복수의 스트립 형태 또는 복수의 그리드 형태로 그래핀층을 마련하는 것과 같은 전극구조 개선을 통해 투명전극 및 발광소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는데 특히 열처리 공정을 생략해도 충분한 전기적 특성을 갖도록 할 수 있다. | ||||
| 기술특성 | 투명전극을 증착할 때 열처리 공정을 수행하지 않아도 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자의 투명전극, 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광소자를 제공한다. | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명에 따르면, 금속산화물 반도체층 내부에 복수의 스트립 형태 또는 복수의 그리드 형태로 그래핀층을 마련하는 것과 같은 전극구조 개선을 통해 투명전극 및 발광소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는데 특히 열처리 공정을 생략해도 충분한 전기적 특성을 갖도록 할 수 있다. 본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어 질 수 있을 것이다. | ||||
| 응용분야 | 반도체 발광소자의 투명전극, 반도체 발광소자, 발광다이오드, 반도체 | ||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||