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대학보유특허 상세정보
| 관리번호 | 2020000338 | 발명자 | 이지면, 김재관 | ||
| 소속학과 | 기술분야(6T) | ||||
| 구분 | 공동 권리자 | ||||
| 참여기업 | 특허 사무소 | ||||
| 특허출원번호 | 10-2011-0037812 | 특허출원일자 | |||
| 특허등록번호 | 10-1219121 | 특허등록일자 | |||
| 기술개발단계 | 기술개발완료 | 협력희망내용 | 기술이전, 공동연구 | ||
| 기술개요 | P형 반도체층의 다단계 활성화방법에 있어서: P형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층에 대하여 일정온도로 열처리 공정을 수행하는 제1단계와; 상기 질화물 반도체층에 대하여 플라즈마 장치를 이용한 플라즈마 표면처리공정을 수행하는 제2단계와; 상기 플라즈마 표면처리로 인한 데미지(damage) 보상 및 패시베이션(passivation) 효과를 위해 상기 질화물 반도체층에 대하여 화학용액을 이용한 화학용액처리공정을 수행하는 제3단계와; 상기 질화물 반도체층에 대한 후열처리 공정을 수행하는 제4단계를 구비하되, 상기 화학용액처리공정은, 염산(HCl), BOE(buffer oxide etchant) 및 황화암모늄((NH4)2S) 알콜 용액을 순차적으로 사용하여 수행됨을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법.키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법. | ||||
| 기술특성 | 본 발명은 P형 반도체층의 다단계 활성화방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 P형 반도체층의 다단계 활성화방법은, P형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층에 대하여 일정온도로 열처리 공정을 수행하는 제1단계와; 상기 질화물 반도체층에 대하여 플라즈마 장치를 이용한 플라즈마 표면처리공정을 수행하는 제2단계와; 상기 플라즈마 표면처리로 인한 데미지(damage) 보상 및 패시베이션(passivation) 효과를 위해 상기 질화물 반도체층에 대하여 화학용액을 이용한 화학용액처리 공정을 수행하는 제3단계와; 상기 질화물 반도체층에 대한 후열처리 공정을 수행하는 제4단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 전기전도도를 향상시키고 금속과의 오믹(ohmic) 접촉저항을 낮출 수 있다 | ||||
| 기대효과 및 사업성 | 본 발명에 따르면, 다단계 활성화 방법을 이용하여 종래의 전자빔 조사(LEEBI) 및 열처리방법에 의한 활성화 방법 보다 높은 캐리어 농도를 얻을 수 있으며 그에 따라 p형 반도체층의 전기전도도를 향상시키고 금속과의 오믹(ohmic) 접촉저항을 낮출 수 있다. 또한, LED에 적용시 발광층에서 표면으로의 빛 포획(Trap)을 줄여 발광효율 향상과 전류 인가시 열발생으로 인한 LED 수명 감소 및 효율저하문제를 개선 할 수 있다. | ||||
| 응용분야 | |||||
| 과제 고유번호 | 세부 과제번호 | ||||
| 부처명 | 연구관리 전문기관 | ||||
| 사업명 | |||||
| 과제명 | |||||
| 연구기간 | 주관기관 | ||||
| 기여율(%) | 연구비(백만원) | ||||
| 시제품 제작 사진 및 데이터(표) | |||||